溫(wen)升問題的(de)(de)(de)解(jie)決(jue)辦法(fa)(fa)是(shi)減低封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)(de)(de)熱阻抗；保(bao)持(chi)LED的(de)(de)(de)運(yun)用(yong)生 存的(de)(de)(de)年(nian)限的(de)(de)(de)辦法(fa)(fa)是(shi)改善(shan)(shan)(shan)芯片(pian)(pian)外(wai)形、認(ren)(ren)為合適(shi)而(er)使用(yong)小規模芯片(pian)(pian)；改善(shan)(shan)(shan)LED的(de)(de)(de)閃光速率的(de)(de)(de)辦法(fa)(fa)是(shi)改善(shan)(shan)(shan)芯片(pian)(pian)結(jie)構、認(ren)(ren)為合適(shi)而(er)使用(yong)小規模芯片(pian)(pian)；至(zhi)于閃光特別的(de)(de)(de)性質平 均化的(de)(de)(de)辦法(fa)(fa)是(shi)改善(shan)(shan)(shan)LED的(de)(de)(de)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)辦法(fa)(fa)，這些個(ge)辦法(fa)(fa)已經陸續被研發中。因為環氧氣(qi)天(tian)(tian)然(ran)(ran)(ran)樹脂(zhi)借鑒(jian)波長(chang)為400~450nm的(de)(de)(de)光線的(de)(de)(de)百(bai)分(fen)率高達(da)45%，硅質封(feng)裝(zhuang)(zhuang)材(cai)(cai) 料則低于1百(bai)分(fen)之百(bai)，輝度減半的(de)(de)(de)時間環氧氣(qi)天(tian)(tian)然(ran)(ran)(ran)樹脂(zhi)不到一萬鐘頭，硅質封(feng)裝(zhuang)(zhuang)材(cai)(cai)料可(ke)(ke)(ke)以延長(chang)到四萬鐘頭左右(you)，幾乎與照(zhao)明設(she)施的(de)(de)(de)預設(she)生存的(de)(de)(de)年(nian)限相同，這意味著照(zhao) 明設(she)施運(yun)用(yong)時期不需改易(yi)白(bai)光LED。然(ran)(ran)(ran)而(er)硅質天(tian)(tian)然(ran)(ran)(ran)樹脂(zhi)歸屬高彈性軟和材(cai)(cai)料，加工時不可(ke)(ke)(ke)少運(yun)用(yong)不會刮傷硅質天(tian)(tian)然(ran)(ran)(ran)樹脂(zhi)外(wai)表的(de)(de)(de)制造技術，這個(ge)之外(wai)加工時硅質天(tian)(tian)然(ran)(ran)(ran) 樹脂(zhi)極(ji)易(yi)依附粉屑，因為這個(ge)未來不可(ke)(ke)(ke)少研發可(ke)(ke)(ke)以改善(shan)(shan)(shan)外(wai)表特別的(de)(de)(de)性質的(de)(de)(de)技術。

　　相關(guan)LED的(de)長命化(hua)(hua)，到現在(zai)(zai)為(wei)止LED廠商(shang)采取的(de)對策是(shi)改變封裝(zhuang)材(cai)料(liao)，同(tong)時將熒光材(cai)料(liao)散布在(zai)(zai)封裝(zhuang)材(cai)料(liao)內，特別是(shi)硅質封裝(zhuang)材(cai)料(liao)比傳統藍(lan)光、近紫(zi)外線LED芯片(pian)上方(fang)環氧氣(qi)天然樹脂封裝(zhuang)材(cai)料(liao)，可以更管用制(zhi)約(yue)材(cai)質劣(lie)化(hua)(hua)與(yu)光線洞穿(chuan)率減低(di)的(de)速度。

　　改變封(feng)裝材料制約(yue)材質劣(lie)化與(yu)光(guang)線洞(dong)穿率減(jian)低(di)的速度

　 　2003年東芝Lighting以前(qian)在400mm正方形的(de)(de)(de)(de)鋁合金(jin)外表，鋪修閃光(guang)(guang)速率為60lm/W低熱(re)阻抗(kang)白(bai)(bai)(bai)光(guang)(guang)LED，無冷(leng)(leng)卻(que)風扇(shan)等(deng)特別(bie)散熱(re)組件(jian)前(qian)提 下，試著制(zhi)做(zuo)光(guang)(guang)柱為300lm的(de)(de)(de)(de)LED板(ban)塊。主要端由(you)是電流疏密(mi)程度(du)(du)增長2倍以上時(shi)(shi)，不(bu)惟不(bu)由(you)得易從(cong)大型芯片抽(chou)取光(guang)(guang)線，最(zui)后結(jie)果反倒會(hui)導致閃光(guang)(guang)速率還不(bu)如 低功率白(bai)(bai)(bai)光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)(de)窘(jiong)境(jing)。依據(ju)德國OSRAMSemiconductorsGmb實驗最(zui)后結(jie)果證明，上面所(suo)說的(de)(de)(de)(de)結(jie)構的(de)(de)(de)(de)LED芯片到燒(shao)(shao)焊(han)點的(de)(de)(de)(de)熱(re)阻抗(kang)可以減(jian)低 9K/W，約是傳統LED的(de)(de)(de)(de)1/6左右，封裝后的(de)(de)(de)(de)LED給予2W的(de)(de)(de)(de)電力時(shi)(shi)，LED芯片的(de)(de)(de)(de)結(jie)合溫(wen)度(du)(du)比燒(shao)(shao)焊(han)點高18K，縱然印刷電路板(ban)溫(wen)度(du)(du)升漲到50℃，結(jie)合 溫(wen)度(du)(du)頂多只有70℃左右；相形之下過去熱(re)阻抗(kang)一(yi)朝減(jian)低的(de)(de)(de)(de)話(hua)，LED芯片的(de)(de)(de)(de)結(jie)合溫(wen)度(du)(du)便會(hui)遭受(shou)印刷電路板(ban)溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)影響。制(zhi)約白(bai)(bai)(bai)光(guang)(guang)LED溫(wen)升可以認為合適而使用冷(leng)(leng) 卻(que)LED封裝印刷電路(lu)板的辦法(fa)，主要端由是封(feng)裝天然樹脂高溫(wen)狀況下(xia)，加上強光映射會迅(xun)速(su)劣(lie)化，沿襲阿雷(lei)紐斯法(fa)則(ze)溫(wen)度減低(di)10℃生存(cun)的年限會延長2倍。

　　因為(wei)散熱裝置與印(yin)刷(shua)(shua)電路(lu)(lu)板之(zhi)間的細致(zhi)精密性直(zhi)接左右導熱效(xiao)果，因為(wei)這個(ge)印(yin)刷(shua)(shua)電路(lu)(lu)板的預設變得十分復雜。

　 　為(wei)了減低熱(re)阻抗(kang)，很多海外(wai)LED廠商將(jiang)LED芯(xin)片設置(zhi)在銅與(yu)瓷陶材料制成(cheng)的(de)(de)散熱(re)裝置(zhi)(heatsink)外(wai)表，繼續再(zai)用燒焊形式將(jiang)印刷電(dian)路(lu)板的(de)(de)散熱(re)用導 線(xian)連署到利(li)(li)用冷(leng)卻風扇強迫空(kong)(kong)冷(leng)的(de)(de)散熱(re)裝置(zhi)上(shang)。因(yin)為(wei)東芝Lighting領有浩博的(de)(de)試(shi)著制做經驗，因(yin)為(wei)這個該企業表達因(yin)為(wei)摹擬剖析技術(shu)的(de)(de)進步提高，2006 年在這以后超過60lm/W的(de)(de)白(bai)光LED，都可以輕松利(li)(li)用燈具、框體增長導熱(re)性(xing)，或是利(li)(li)用冷(leng)卻風扇強迫空(kong)(kong)冷(leng)形式預設照明設施的(de)(de)散熱(re)，不必特別散熱(re)技術(shu)的(de)(de)板 塊結構也(ye)能夠運(yun)用白(bai)光LED。（來源中國電(dian)子網）